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Graphene growth by molecular beam epitaxy on the carbon-face of SiC
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2010, 97; 24, 241907Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Gold-free growth of GaAs nanowires on silicon : arrays and polytypism
Nanotechnology, Institute of Physics, 2010, 21, 385602-1-8Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Gold-free GaAs/GaAsSb heterostructure nanowires grown on silicon
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2010, 96, 121901-1-3Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Imaging Coulomb islands in a quantum Hall interferometer
Nature Communications, Nature Publishing Group, 07-2010, 1, 39Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Fully relaxed low-mismatched InAlAs layer on an InP substrate by using a two step buffer
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2010, 107; 1, 0161021Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
DC and RF cryogenic behaviour of InAs/AlSb HEMTs
22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Proceedings of the 22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, _, 2010Communication dans un congrès avec actes -
Picosecond Carrier Lifetime in Low-Temperature-Grown GaAsSb
Applied Physics Express, 2010, 3, 111202Article dans une revue scientifique -
Electronic properties of the high electron mobility Al0.56In0.44Sb/Ga0.5In0.5Sb heterostructure
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 08-2010, 108, 043704Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
High frequency performance of tellurium δ-doped AlSb/InAs HEMTs at low power supply
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, Proceedings of the 5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, _, 2010Communication dans un congrès avec actes -
Graphene growth by molecular beam epitaxy using a solid carbon source
physica status solidi (a), Wiley, 2010, 207, 300-303Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral