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Comprehensive model for ideal reverse leakage current components in Schottky barrier diodes tested in GaN-on-SiC samples
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 28-07-2022, 132; 4, 044502Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Modelling of silicon oxynitridation by nitrous oxide using the reaction rate approach
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2013, 114, 224501, 9 pagesCompte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Patterned L10-FePt for polarization of magnetic films
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2011, 109, 07A720-1-3Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Bragg band gaps tunability in an homogeneous piezoelectric rod with periodic electrical boundary conditions
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2014, 115, 194508, 8 pagesCompte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
E -tunable magnetic susceptibility and reversible magnetization switching in YIG/Pt/PMN-PZT/Pt heterostructure by low electric and magnetic fields
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 28-10-2019, 126; 16, 164104Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Optimization of the optical properties of nanostructured silicon surfaces for solar cell applications
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2014, 115, 134304Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Electronic structure and transport properties of Si nanotubes
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2013, 114; 5, 053706Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Cross-talk artefacts in Kelvin probe force microscopy imaging : a comprehensive study
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2014, 115; 14, 144313Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 07-01-2020, 127; 1, 015701Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Effect of polarization switching cycles on the dielectric response and Rayleigh constant in Pb0.4Sr0.6TiO3 thin films
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2014, 115; 6, 064102Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral