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Short-channel effect immunity and current capability of sub-0.1-micron MOSFET's using a recessed channel
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 08-1996, 43; 8, 1251-1255Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Piezoresistivity effects in N-MOSFET devices
Sensors and Actuators A: Physical, Elsevier, 07-1992, 34; 1, 59-65Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Nanometer scale lithography on silicon, titanium and PMMA resist using scanning probe microscopy
Solid-State Electronics, Elsevier, 06-1999, 43; 6, 1085-1089Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Theoretical characterization of the electronic properties of extended thienylenevinylene oligomers
The Journal of Chemical Physics, American Institute of Physics, 08-10-1999, 111; 14, 6643-6649Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Experimental study of the quasi-breakdown failure mechanism in 4.5 nm-thick SiO2 oxides
Microelectronics Reliability, Elsevier, 02-1999, 39; 2, 165-169Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Stress induced leakage currents in N-MOSFETs submitted to channel hot carrier injections
Journal of Non-Crystalline Solids, Elsevier, 04-1999, 245; 1-3, 41-47Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED AS PASS-TRANSISTORS
Microelectronics Reliability, Elsevier, 04-1998, 38; 4, 539-544Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Analysis of the hot-carrier degradation of deep-submicrometer large-angle-tilt-implanted drain (LATID) MOSFETs
Solid-State Electronics, Elsevier, 09-1997, 41; 9, 1293-1301Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED AS PASS-TRANSISTORS
Microelectronics Reliability, Elsevier, 04-1998, 38; 4, 539-544Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Experimental study of the quasi-breakdown failure mechanism in 4.5 nm-thick SiO2 oxides
Microelectronics Reliability, Elsevier, 02-1999, 39; 2, 165-169Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral