Recherche
Résultats 1-10 de 104
-
AlN/GaN heterostructures grown by metal organic vapour phase epitaxy with in situ Si3N4 passivation
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2011, 315, 204-207Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Low Trapping Effects and High Electron Confinement in Short AlN/GaN-on-SiC HEMTs by Means of a Thin AlGaN Back Barrier
Micromachines, MDPI, 22-01-2023, 14; 2, 291Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Towards highly efficient high power X‐band AlN/GaN MIS HEMTs operating above 50V
European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES 2022), Istanbul, 07-05-2022, 2022Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
High Breakdown Field and Low Trapping Effects up to 1400 V in Normally Off GaN‐on‐Silicon Heterostructures
European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES 2022), Istanbul, 07-05-2022, 2022Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Multilayer Pt/Al based ohmic contacts for AlGaN/GaN heterostructures stable up to 600°C ambient air
Solid-State Electronics, Elsevier, 2016, 116, 107-110Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Surface capping of AlInN/GaN HEMT structures
European Workshop on III-Nitride Semiconductor Materials and Devices, Heraklion, 18-09-2006, EW3NS2006, European Workshop on III-Nitride Semiconductor Materials and DevicesCommunication dans un congrès avec actestexte intégral -
Linearity and robustness evaluation of 150-nm AlN/GaN HEMTs
Microelectronics Reliability, Elsevier, 09-2019, 100-101, 113388Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Low RF losses up to 110 GHz in GaN-on-silicon HEMTs
Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE2017, Las Palmas de Gran Canaria, 21-05-2017, 41st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2017Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide
Device Research Conference, Santa barbara, 23-06-2008, DRC2008Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
InAlN/GaN MOS-HEMT with thermally grown oxide
International Journal of High Speed Electronics and Systems, World Scientific Publishing, 2009, 19, 137-144Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral