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Modélisation 2D de la courbure de bandes de l'interface Pt-Si-Electrolyte, vers une meilleure compréhension des mécanismes de gravure chimique
Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV), Dourdan, 29-11-2016, 30-11-2016Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...) -
Advances in silicon surface texturization by metal assisted chemical etching for photovoltaic applications
2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), Washington, 25-06-2017, 19-07-2017Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Controlled elaboration of high aspect ratio cone-shape pore arrays in silicon by metal assisted chemical etching
E-MRS fall meeting 2016, Varsovie, 19-09-2016 -
Gravure par contact du silicium à l’aide d’électrodes en or nanoporeux
Semiconduteur et oxyde poreux (SCOPE 2017), Lille, 22-06-2017 -
Preuve de concept de texturisation de surface de Silicium par MACE pour des applications photovoltaïques
Journées Nationales du Photovoltaique 2018, Dourdan, 12-2018Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...) -
Controlled elaboration of high aspect ratio cone-shape pore arrays in silicon by metal assisted chemical etching
11th INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACE COATINGS AND NANOSTRUTURED MATERIALS (NANOSMAT), Aveiro, 06-09-2016 -
Structuration de surface de Silicium par gravure chimique assistée par des métaux nobles pour la texturisation de cellules solaires : Simulation de la modulation de la courbure de bande à l’interface Metal/Electrolyte/Silicium
Journée Nationale du Photovoltaique, Dourdan, 01-12-2015Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...) -
Tunable Surface Structuration of Silicon by Metal Assisted Chemical Etching with Pt Nanoparticles under Electrochemical Bias
ACS Applied Materials & Interfaces; ACS, Applied Materials & Interfaces, Washington, D.C. : American Chemical Society, 26-10-2016, 8, 31375Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
3D Patterning of Si by Contact Etching With Nanoporous Metals
Frontiers in Chemistry, Frontiers Media, 2019, 7, 256Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
3D patterning of Si by contact etchning: contribution of the band bending modeling
Semi-Conducteurs et Oxydes Poreux, 5ème journée (SCOPE 2019), Thiais, 19-06-2019