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Band offsets at zincblende-wurtzite GaAs nanowire sidewall surfaces
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2013, 103, 122104-1-4Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Doped semiconductor nanocrystal junctions
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2013, 114, 204305, 5 pagesCompte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Operation of GaN Planar Nanodiodes as THz Detectors and Mixers
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 11-2014, 4; 6, 670 - 677Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Length dependence of thermal conductivity by approach-to-equilibrium molecular dynamics
Physical Review B, American Physical Society, 2016, 94; 5, 054304Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Account of the diversity of tunneling spectra at the germanene/Al(1 1 1) interface
Journal of Physics: Condensed Matter, IOP Publishing, 30-01-2020, 32; 5, 055002Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Modeling and de-embedding the interferometric scanning microwave microscopy by means of dopant profile calibration
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2015, 107; 22, 223102Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Shallow Heavily Doped n\mathplus\mathplus Germanium by Organo-Antimony Monolayer Doping
ACS Applied Materials & Interfaces, Washington, D.C. : American Chemical Society, 06-2017, 9; 23, 20179--20187Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Influence of doping level and surface states in tunneling spectroscopy of an In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As quantum well grown on p-type doped InP(001)
Physical Review Materials, American Physical Society, 20-09-2019, 3; 9Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Quantum cascade laser-pumped terahertz molecular lasers: frequency noise and phase-locking using a 1560nm frequency comb
Optics Express, Optical Society of America - OSA Publishing, 20-01-2020, 28; 2, 2091-2106Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Chemical nature of the anion antisite in dilute phosphide GaAs1−xPx alloy grown at low temperature
Physical Review Materials, American Physical Society, 10-2018, 2; 10, 104601Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral