Recherche
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Effect of initial substrate conditions on growth of cubic silicon carbide
Journal of Crystal Growth, 2011, 324, 7-14Article dans une revue scientifique -
Atomically resolved mapping of EELS fine structures
Materials Science in Semiconductor Processing, 2016Article dans une revue scientifique -
Influence of Post-Growth Annealing on the Defects Nature and Distribution in VLS Grown (111) 3C-SiC Layers
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 241-244Article dans une revue scientifique -
The Influence of the Temperature Gradient on the Defect Structure of 3C-SiC Grown Heteroepitaxially on 6H-SiC by Sublimation Epitaxy
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 367-370Article dans une revue scientifique -
Self-Encapsulation of Heteropolyacids in a 3D-Ordered Coke Framework for Heterogeneous Catalysis in Homogeneous Way
Chemistry of Materials, 2017, 29, 2676-2680Article dans une revue scientifique -
Incorporation of group III, IV and V elements in 3C-SiC(111) layers grown by the vapour-liquid-solid mechanism
Journal of Crystal Growth, 2010, 312, 3443-3450Article dans une revue scientifique -
Influence of Ga doping on the microstructure of 3C-SiC layers grown on 4H-SiC substrates by VLS mechanism
Physica Status Solidi (c), 2013, 10, 72-75Article dans une revue scientifique -
Heavily p-Type Doping of Bulk 6H-SiC and 3C-SiC Grown from Al-Si Melts
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 59-62Article dans une revue scientifique -
Quality Investigation of 3C-SiC Crystals Grown by CF-PVT Technique
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 20-23Article dans une revue scientifique -
Spark plasma sintering of a p-type Si 1-xGe x alloy: Identification of the densification mechanism by isothermal and anisothermal methods
Journal of Materials Science, 2012, 47, 4313-4325Article dans une revue scientifique