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On the correlation between kink effect and effective mobility in InAlN/GaN HEMTs
9th European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC), Rome, 06-10-2014, 9th European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC), IEEE, 2014Communication dans un congrès avec actes -
AlGaN/GaN HEMTs on AlN substrate for power electronics
44th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE2021, Bristol (virtual), 14-06-2021, 14-06-2021Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
[Invited] From research to production: how MBE can unlock GaN-on-Si technology
The International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2022), Sheffield, 04-09-2022, 05-09-2022Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
[Webinar] Towards high performance mm-wave GaN power transistors
pCoE - GaN Research and Development (GRAND) Webinar Series, Online, 21-04-2022 -
Sub-Micron Thick GaN-on-Si HEMTs with More than 7.5 MV/cm Buffer Breakdown Field
WOCSDICE EXMATEC 2022, Ponta Delgada, 03-05-2022Communication dans un congrès avec actes -
Towards highly efficient high power X‐band AlN/GaN MIS HEMTs operating above 50V
European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES 2022), Istanbul, 07-05-2022, 2022Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
High Breakdown Field and Low Trapping Effects up to 1400 V in Normally Off GaN‐on‐Silicon Heterostructures
European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES 2022), Istanbul, 07-05-2022, 2022Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Evaluation of the electrical properties of ScAlN/GaN HEMTs grown by ammonia source molecular beam epitaxy
Wocsdice - Exmatec 2023 Conference, Palermo, 21-05-2023Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
[Invited] High efficiency high robustness Q-band AlN/GaN transistors
International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT) 2023, Singapore, 26-06-2023 -
Pushing Q-band power performances by means of buffer engineering in AlN-GaN HEMTs
46th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2023), Palerme (Italie), 21-05-2023, Proceeding of WOCSDICE 2023Communication dans un congrès avec actestexte intégral