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2 W / mm power density of an AlGaN/GaN HEMT grown on free-standing GaN substrate at 40 GHz
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 01-12-2019, 34; 12, 12LT01Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
A cost-effective technology to improve power performance of nanoribbons GaN HEMTs
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 24-01-2022, 120; 4, 042102Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
A micro-electro-mechanical accelerometer based on gallium nitride on silicon
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2023, 122; 3, 033502Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Activité électrique de l'interface AlN/Si: identification de l'origine principale des pertes de propagation en hyperfréquences dans les composants GaN sur Silicium
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 25-08-2020, 10; 1, 14166Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
AlGaN channel high electron mobility transistors on bulk AlN substrate
International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022, Berlin, 09-10-2022, Proceeding of IWN2022Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
AlGaN channel high electron mobility transistors with regrown ohmic contacts
Electronics, MDPI, 10-03-2021, 10; 6, 635Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
AlGaN/GaN HEMTs on AlN substrate for power electronics
44th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE2021, Bristol (virtual), 14-06-2021, 14-06-2021Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications
Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 31-05-2022, 1062, 482-486Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
An advanced ageing methodology for robustness assessment of normally-off AlGaN/GaN HEMT
15th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2020, Utrecht, 11-01-2021, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2021Communication dans un congrès avec actes -
Anisotropic mobility in AlGaN/GaN heterostructure with thin GaN on AlN/Sapphire template
WOCSDICE EXMATEC 2022, Ponta Delgada, 03-05-2022Communication dans un congrès avec actes -
Anomalous DC and RF behavior of virgin AlGaN/AlN/GaN HEMTs
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 03-2017, 32; 3, 035011, 8 pagesCompte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Characterization and modeling of traps and RF frequency dispersion in AlGaN/AlN/GaN HEMTs
11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), London, 03-10-2016, Proceedings of 11th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2016, 11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), IEEE, 2016Communication dans un congrès avec actes -
Cl<sub>2</sub>/Ar based atomic layer etching of AlGaN layers
Journal of Vacuum Science & Technology A, American Vacuum Society, 07-2019, 37; 4, 041001Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Combination of selective area sublimation of p-GaN and regrowth of AlGaN for the co-integration of enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors
Solid-State Electronics, Elsevier, 2022, 188, 108210Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Combining low trapping effects and high electron confinement in sub-100 nm AlN/GaN HEMTs under high electric field
International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022, Berlin, 09-10-2022, Proceeding of IWN2022Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Comparison of Sub-Micron thick AlGaN/GaN and AlN/GaN HEMTs on Silicon for RF applications
46th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2023), Palerme (Italie), 21-05-2023, Proceeding of WOCSDICE 2023Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Comprehensive model for ideal reverse leakage current components in Schottky barrier diodes tested in GaN-on-SiC samples
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 28-07-2022, 132; 4, 044502Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Dual role of 3C-SiC interlayer on DC and RF isolation of GaN/Si-based devices
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 19-09-2022, 121; 12, 122103Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Effects of GaN channel downscaling in AlGaN–GaN high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 14-04-2023, 133; 14, 145705Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Epi-design optimization in AlN/GaN HEMTs for superior drain bias operation and reduced trapping effects
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Nagoya, 12-11-2023Communication dans un congrès avec actestexte intégral